IPB110N06L G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：OptiMOS™包裝：剪切帶(CT)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：78A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：11毫歐@78A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@94µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：79nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2700pF@30V功率-最大值：158W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3
