IPB114N03L G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：30A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：11.4毫歐@30A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：14nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1500pF@15V功率-最大值：38W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2
infineonTO-2632023+8350原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證
