IPD031N03M G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation27/May/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：90A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.1毫歐@30A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：51nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：5300pF@15V功率-最大值：94W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
