IPD038N04N G
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IPD038N04N G參數：MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
標準包裝：2,500
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：90A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.8毫歐@90A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@45µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：56nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4500pF@20V
功率-最大值：94W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：PG-TO252-3