IPD06N03LA G參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：50A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.7毫歐@30A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@40µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：22nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2653pF@15V功率-最大值：83W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
