IPD082N10N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：80A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.2 毫歐 @ 73A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 75µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：55nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3980pF @ 50V功率 - 最大值：125W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
