IPD15N06S2L-64參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： IPD15N06S2L-64Discontinuation24/Sept/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：19A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：64毫歐@13A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@14µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：13nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：354pF@25V功率-最大值：47W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
infineonSOT2522023+10350原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證
