IPD35N10S3L-26參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：35A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 35A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 39µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：39nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2700pF @ 25V功率 - 最大值：71W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
