IPD50P04P4L-11
PDF資料下載

IPD50P04P4L-11參數(shù)：MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：50A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10.6 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 85µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：59nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3900pF @ 25V
功率 - 最大值：58W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：PG-TO252-3-313