IPD50R500CE
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IPD50R500CE參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
應(yīng)用說明： 500VCoolMOSCEApplicationNote
標準包裝：2,500
系列：CoolMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：超級結(jié)
漏源極電壓(Vdss)：500V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：500毫歐@2.3A，13V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@200µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18.7nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：433pF@100V
功率-最大值：57W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3