首頁 > IC > I-1081頁 >

IPD60R750E6

供應(yīng)查詢

您是不是要找：IPD60R750E6ATMA1 IPD60R750E6BTMA1 IPD60R800CEATMA1 IPD60R800CEAUMA1 IPD60R950C6

IPD60R750E6BTMA1

Infineon Techn..

PG-TO252-3

2023+

500

全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

電話：18922857317(微信同號)
聯(lián)系人：洪小姐

IPD60R750E6ATMA1

Infineon Techn..

PG-TO252-3

2023+

500

全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

電話：18922857317(微信同號)
聯(lián)系人：洪小姐

IPD60R750E6

InfineonTechno..

TO-252-3,DPa..

2023+

1250

全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市科錦電子有限公司

電話：18923786596
聯(lián)系人：肖小姐

IPD60R750E6ATMA1

Infineon

原裝現(xiàn)貨

2023+

12300

【【原裝絕對有貨】】

IPD60R750E6

Infineon

DPAK-3

2023+

12300

【【原裝絕對有貨】】

相關(guān)型號： IPD60R600E6 IPD60R600CP IPD60R600C6 IPD60R520CP IPD60R520C6 IPD60R450E6

IPD60R750E6
PDF資料下載

IPD60R750E6參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：CoolMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：750毫歐@2A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@170µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17.2nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：373pF@100V
功率-最大值：48W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3

IPD60R750E6

IPD60R750E6PDF資料下載

在線詢價

IPD60R750E6
PDF資料下載