IPD65R600E6參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：CoolMOS™包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：7.3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：600毫歐@2.1A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3.5V@210µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：23nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：440pF@100V功率-最大值：63W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線(xiàn)+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
