IPG20N06S2L-35
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IPG20N06S2L-35參數(shù)：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：20A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 27µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：790pF @ 25V
功率 - 最大值：65W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）