IPG20N06S3L-35
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IPG20N06S3L-35參數(shù)：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Nov/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：2個(gè)N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：20A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：35毫歐@11A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.2V@15µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：23nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1730pF@25V
功率-最大值：30W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）