IPI028N08N3 G
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IPI028N08N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
標準包裝：500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：80V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.8毫歐@100A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@270µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：206nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：14200pF@40V
功率-最大值：300W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3