IPI65R280C6參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：CoolMOS™包裝：管件FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：650V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：13.8A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：280 毫歐 @ 4.4A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 440µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：45nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：950pF @ 100V功率 - 最大值：104W安裝類(lèi)型：通孔封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
