IPP05CN10L G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：100A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.1毫歐@100A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：163nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：15600pF@50V功率-最大值：300W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3
InfineonTO-2202023+21850原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證
