IPP080N06N G
PDF資料下載

IPP080N06N G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：80A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 150µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：93nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3500pF @ 30V
功率 - 最大值：214W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3