IPP120N06N G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 75A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：75A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：12毫歐@75A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@94µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：62nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2100pF@30V功率-最大值：158W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3
