IPP26CNE8N G參數(shù)：MOSFET N-CH 85V 35A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：85V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：35A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：26毫歐@35A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@39µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：31nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2070pF@40V功率-最大值：71W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3
