IPP50CN10N G參數：MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
類別：分立半導體產品-FET - 單產品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標準包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：20A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：50毫歐@20A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@20µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：16nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1090pF@50V功率-最大值：44W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應商器件封裝：PG-TO220-3
