IPS105N03L G
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IPS105N03L G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation19/Mar/2010
標準包裝：1,500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：35A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：10.5毫歐@30A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1500pF@15V
功率-最大值：38W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3