IPW65R190E6
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IPW65R190E6參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：240
系列：CoolMOS™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：20.2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 7.3A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 730µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：73nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1620pF @ 100V
功率 - 最大值：151W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3