IXBT10N170
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IXBT10N170參數(shù)：IGBT 1700V 20A 140W TO268

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：BIMOSFET™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.8V @ 15V，10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20A
Current - Collector Pulsed (Icm)：40A
功率 - 最大值：140W
Switching Energy：6mJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：30nC
Td (on/off) A 25°C：35ns/500ns
Test Condition：-
反向恢復(fù)時間 (trr)：360ns
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-268