IXBX75N170
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IXBX75N170參數(shù)：IGBT BIMOSFET 1700V 200A PLUS247

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：BIMOSFET™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：3.1V @ 15V，75A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200A
Current - Collector Pulsed (Icm)：580A
功率 - 最大值：1040W
Switching Energy：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：350nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：1.5µs
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：*