IXDN602SI
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IXDN602SI參數(shù)：MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

類別：集成電路 (IC)-PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：100
系列：-
包裝：管件
配置：低端
輸入類型：非反相
延遲時(shí)間：35ns
電流 - 峰值：2A
配置數(shù)：2
輸出數(shù)：2
高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：-
電壓 - 電源：4.5 V ~ 35 V
工作溫度：-40°C ~ 125°C
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC-EP