IXFB170N30P
PDF資料下載

IXFB170N30P參數(shù)：MOSFET N-CH TO-264

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：25
系列：Polar™ HiPerFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：300V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：170A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 85A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：258nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：20000pF @ 25V
功率 - 最大值：1250W
安裝類型：通孔
封裝：TO-264-3，TO-264AA
供應(yīng)商器件封裝：PLUS264?