IXFQ10N80P
PDF資料下載

IXFQ10N80P參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：PolarHV™ HiPerFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：800V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：10A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.1 歐姆 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2050pF @ 25V
功率 - 最大值：300W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3P-3，SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-3P