IXGB200N60B3
PDF資料下載

IXGB200N60B3參數(shù)：IGBT N-CH PLUS264

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：25
系列：GenX3™
包裝：管件
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：1.5V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：75A
Current - Collector Pulsed (Icm)：600A
功率 - 最大值：1250W
Switching Energy：1.6mJ（開），2.9mJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：750nC
Td (on/off) A 25°C：44ns/310ns
Test Condition：300V，100A，1 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
封裝：TO-264-3，TO-264AA
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：*