IXGT32N90B2D1
PDF資料下載

IXGT32N90B2D1參數(shù)：IGBT 900V 64A FRD TO-268

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：HiPerFAST™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.7V @ 15V，32A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：64A
Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
功率 - 最大值：300W
Switching Energy：2.2mJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：89nC
Td (on/off) A 25°C：20ns/260ns
Test Condition：-
反向恢復(fù)時間 (trr)：190ns
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-268