IXTT16N10D2參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：耗盡模式漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：16A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：64 毫歐 @ 8A，0V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：225nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 25V功率 - 最大值：830W安裝類型：通孔封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA供應(yīng)商器件封裝：TO-268
