MII100-12A3參數(shù)：IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：6系列：-IGBT 類型：NPT配置：半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.7V @ 15V，75A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：135A電流 - 集電極截止（最大值）：5mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：5.5nF @ 25V功率 - 最大值：560W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：Y4-M5供應(yīng)商器件封裝：Y4-M5
