MIMD10A-7-F
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MIMD10A-7-F參數(shù)：TRANS PREB NPN/PNP R1/R2 SOT363

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
PCNDesign/Specification： GreenEncapsulateChange09/July/2007
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：1個NPN，1個PNP-預偏壓式（雙）
電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA，500mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器-基底(R1)(Ω)：100，10k
電阻器-發(fā)射極基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：100@1mA，5V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV@1mA，10mA/300mV@5mA，100mA
電流-集電極截止（最大值）：500nA
頻率-躍遷：250MHz，200MHz
功率-最大值：200mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363