MTD10N10ELT4
PDF資料下載

MTD10N10ELT4參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence01/Jul/2005
標(biāo)準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：220毫歐@5A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1040pF@25V
功率-最大值：1.75W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3