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NIC9N05ATS1參數(shù)：IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,500
系列：-
包裝：*
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：52V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：9A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：95 毫歐 @ 12A，12V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：7nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：250pF @ 40V
功率 - 最大值：1.74W
安裝類型：*
封裝：*
供應(yīng)商器件封裝：*