NMSD200B01-7參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它圖紙： SOT-363PackageTop SOT-363PackageSide1 SOT-363PackageSide2標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：200mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3歐姆@50mA，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：200mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：SOT-363
