NSS35200MR6T1G參數(shù):TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 單路產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: LowVce(sat)BJTPowerSavings產(chǎn)品變化通告: WireChange08/Jun/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)晶體管類型:PNP電流-集電極(Ic)(最大值):2A電壓-集射極擊穿(最大值):35V不同?Ib、Ic時(shí)的?Vce飽和值(最大值):310mV@20mA,2A電流-集電極截止(最大值):100nA不同?Ic、Vce?時(shí)的DC電流增益(hFE)(最小值):100@1.5A,1.5V功率-最大值:625mW頻率-躍遷:100MHz安裝類型:表面貼裝封裝:SC-74,SOT-457供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP