NSTB1002DXV5T1G參數(shù):TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式產(chǎn)品變化通告: WireBondChange01/Dec/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000系列:-包裝:帶卷(TR)晶體管類型:1NPN預(yù)偏壓式,1PNP電流-集電極(Ic)(最大值):100mA,200mA電壓-集射極擊穿(最大值):50V,40V電阻器-基底(R1)(Ω):47k電阻器-發(fā)射極基底(R2)(Ω):47k不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)(最小值):80@5mA,10V/100@1mA,10V不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值(最大值):250mV@300µA,10mA/400mV@5mA,50mA電流-集電極截止(最大值):500nA頻率-躍遷:250MHz功率-最大值:500mW安裝類型:表面貼裝封裝:SOT-553供應(yīng)商器件封裝:SOT-553