NSVBC114YDXV6T1G參數(shù)：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：-包裝：帶卷 (TR)晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：47k不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA電流 - 集電極截止（最大值）：500nA頻率 - 躍遷：-功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：SOT-563
