NTB18N06T4G參數(shù):MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation03/Apr/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝:800系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):15A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):90毫歐@7.5A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):22nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):450pF@25V功率-最大值:48.4W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:D2PAK