NTB5605PG參數(shù):MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation01/Oct/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:50系列:-包裝:管件FET類(lèi)型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):18.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):140毫歐@8.5A,5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1190pF@25V功率-最大值:88W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:D2PAK