NTB65N02RT4G
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NTB65N02RT4G參數(shù)：MOSFET N-CH 24V 7.6A D2PAK

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008
標準包裝：800
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：24V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.2毫歐@30A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：9.5nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1330pF@20V
功率-最大值：1.04W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D2PAK