NTD18N06G
PDF資料下載

NTD18N06G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation03/Apr/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：18A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：60毫歐@9A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：710pF@25V
功率-最大值：55W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線(xiàn)+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3