NTD4909NA-35G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：8.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 30A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17.5nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1314pF @ 15V功率 - 最大值：1.37W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3 短截引線，IPak供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
