NTD60N02R
PDF資料下載

NTD60N02R參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：25V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：8.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10.5 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1330pF @ 20V
功率 - 最大值：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak