NTD60N02R-1G
PDF資料下載

NTD60N02R-1G參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：10.5毫歐@20A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1330pF@20V
功率-最大值：1.25W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商器件封裝：I-Pak