NTD6600N-1G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation01/Oct/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：146毫歐@6A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：700pF@25V功率-最大值：1.28W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
