NTF3055L108T1G
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NTF3055L108T1G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：120毫歐@1.5A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：440pF@25V
功率-最大值：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：SOT-223