NTF6P02T3G
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NTF6P02T3G參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 10A SOT223

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007 ReactivationNotice08/Apr/2011 ProductObsolescence14/Apr/2010
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：50毫歐@6A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1200pF@16V
功率-最大值：8.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223