NTHC5513T1G
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NTHC5513T1G參數(shù)：MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206A

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.9A，2.2A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：4nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：180pF @ 10V
功率 - 最大值：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：ChipFET?